UV random lasing action in p-SiC(4H)/i-ZnO-SiO2 nanocomposite/n-ZnO:Al heterojunction diodes
UV random lasing action in p-SiC(4H)/i-ZnO-SiO2 nanocomposite/n-ZnO:Al heterojunction diodes
复制标题
DOI：
10.1002/adma.200502761
复制
发表时间：
2006-07-04
影响因子：
29.4
通讯作者：
Yu, Siu Fung
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Leong, Eunice S. P.;Yu, Siu Fung
在p-i-n型氧化锌异质结二极管中实现了紫外随机激光。紫外光发射源于使用本征的氧化锌-二氧化硅纳米复合层；使用氧化锌粉末可以提高异质结的电光转换效率。二氧化硅基质中图案化的氧化锌团簇提高了随机介质的质量(见图)，从而维持了随机激光作用。如果采用低折射率、掺磷、宽带隙材料作为空穴注入层，可以实现强相干随机激光。
UV random lasing in p-i-n ZnO-based heterojunction diodes is achieved. The UV emission originates from the use of an intrinsic ZnO-SiO2 nanocomposite layer; the use of ZnO powders can improve the electrical-to-optical conversion efficiency of the heterojunction. The patterned ZnO clusters in the SiO2 matrix enhance the quality of the random media (see figure) thus sustaining the random lasing action. If low-index, p-doped, wide-bandgap materials are used as the hole-injection layer, strong coherent random lasing could be achieved.