Preparations of ultra-precision resistors with ultra-high resistivity by introducing indium and nitrogen to ZnO semiconductor thin-films
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ZnO半导体薄膜引入铟和氮制备超高电阻率超精密电阻器
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuichi Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
西谷真幸;長尾智記;米津大吾;原武久;島田茂樹;Yuichi Sato
