Extreme ultraviolet emission of laser-produced plasmas using a cryogenic xenon target
Extreme ultraviolet emission of laser-produced plasmas using a cryogenic xenon target
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使用低温氙靶的激光产生等离子体的极紫外发射
DOI：
10.1116/1.590872
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发表时间：
1999
影响因子：
1.4
通讯作者：
R. Lebert
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Schriever;K. Bergmann;R. Lebert
在本文中，我们展示了使用低温氙靶的激光产生的等离子体是脉冲宽带极紫外辐射的发射器，其最大强度约为11 nm。该源的光子通量和转换效率（CE）可与使用高原子序数元素的固体目标激光产生的等离子体发射相媲美。激光产生的氙等离子体在2%波长波段的铍吸收K边11.1 nm处的CE比硅吸收L边12.4 nm处的CE高约2倍。
In this article we show that laser-produced plasmas using a cryogenic xenon target are emitters of pulsed broadband extreme ultraviolet radiation with an intensity maximum around 11 nm. The photon flux and conversion efficiency (CE) of this source is comparable to the emission of laser-produced plasmas of solid state targets using elements with high atomic numbers. The CE of the laser-produced xenon plasma in a 2% wavelength band at the beryllium absorption K edge at 11.1 nm is about two times higher compared to the CE at the silicon absorption L edge at 12.4 nm.