0.42-V 576-kb 0.15-um FD-SOT SRAM with 7T/14T Bit Cells and Substrate Bias Control Circuits for Intra-Die and Inter-Die Variability Compensation
0.42-V 576-kb 0.15-um FD-SOT SRAM with 7T/14T Bit Cells and Substrate Bias Control Circuits for Intra-Die and Inter-Die Variability Compensation
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具有 7T/14T 位单元和用于芯片内和芯片间变异补偿的基板偏置控制电路的 0.42V 576kb 0.15um FD-SOT SRAM
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Kawaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Yamaguchi;S.Okumura;M.Yoshimoto;H.Kawaguchi
