Growth of dislocation-free GaN islands on Si(1 1 1) using a scandium nitride buffer layer
Growth of dislocation-free GaN islands on Si(1 1 1) using a scandium nitride buffer layer
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使用氮化钪缓冲层在 Si(1 1 1) 上生长无位错 GaN 岛
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2007.09.009
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发表时间：
2007
影响因子：
1.8
通讯作者：
C. Humphreys
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Moram;M. Kappers;T. Joyce;P. Chalker;Z. Barber;C. Humphreys
