Analysis of a monolithic integrated rectenna by using an InGaAs/InAlAs triple-barrier resonant tunneling diode for zero bias detection of submillimeter-wave
Analysis of a monolithic integrated rectenna by using an InGaAs/InAlAs triple-barrier resonant tunneling diode for zero bias detection of submillimeter-wave
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使用 InGaAs/InAlAs 三势垒谐振隧道二极管分析单片集成整流天线，用于亚毫米波零偏置检测
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Suhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Nakamura;S. Takahagi;M. Saito;M. Suhara
