Electrical investigation of Si/SiGe layers grown on a nanometer - thick SOI by CVD
Electrical investigation of Si/SiGe layers grown on a nanometer - thick SOI by CVD
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通过 CVD 在纳米厚 SOI 上生长的 Si/SiGe 层的电学研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Fujinaga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Tanaka;M.Akazawa;E.Sano;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga
