Type-I Ca(OH)2/α-MoTe2 vdW heterostructure for ultraviolet optoelectronic device applications: electric field effects
Type-I Ca(OH)2/α-MoTe2 vdW heterostructure for ultraviolet optoelectronic device applications: electric field effects
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用于紫外光电器件应用的 I 型 Ca(OH)2/α-MoTe2 vdW 异质结构：电场效应
DOI：
10.1039/c7tc03779a
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发表时间：
2017-12
影响因子：
6.4
通讯作者：
Li Jingbo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gao Qiang;Congxin Xia;Wenqi Xiong;Du Juan;Wang Tianxing;Wei Zhongming;Li Jingbo
货车德瓦耳斯（vdW）异质结构作为构建未来纳米器件的独特构件正引起人们的广泛关注。本文通过第一性原理计算，系统地预测了Ca（OH）2/α-MoTe 2 vdW异质结的稳定性、电子结构、能带排列、界面电荷转移和光吸收，并考虑了堆叠模式和电场效应.研究表明，该异质结构具有直接能带结构、I型取向、高紫外吸收强度（~ 105 cm−1）和宽带光谱等突出特点。此外，外部电场可以将能带对准变换从I型调谐到II型。这些结果表明，Ca（OH）2/α-MoTe 2 vdW异质结构在紫外光电子器件中具有良好的应用前景。
The van der Waals (vdW) heterostructure is attracting intensive attention as a unique building block in the construction of future nano-devices. In this work, through first-principle calculations, we systemically predict the stability, electronic structures, band alignment, interface charge transfer and optical absorption of a Ca(OH)2/α-MoTe2 vdW heterostructure, considering stacking patterns and electric field (E-field) effects. The studies show that the heterostructure possesses the outstanding characteristics of direct band structures, type-I alignment, high ultraviolet absorption strength (∼105 cm−1) and broadband spectrum. Moreover, the external E-fields can tune the band alignment transformation from type I to type II. These results indicate that the Ca(OH)2/α-MoTe2 vdW heterostructure will be a promising candidate for ultraviolet optoelectronic device applications.
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影响因子：
3
作者：
Grimme, Stefan
通讯作者：
Grimme, Stefan
DOI：
10.1038/s43586-022-00151-5
发表时间：
2014-03
期刊：
Nature Reviews Methods Primers
影响因子：
--
作者：
R. Gorbachev
通讯作者：
R. Gorbachev
影响因子：
9.5
作者：
Han Sol Lee;Kyunghee Choi;Jin Sung Kim;Sanghyuck Yu;Kyeong Rok Ko;S. Im
通讯作者：
Han Sol Lee;Kyunghee Choi;Jin Sung Kim;Sanghyuck Yu;Kyeong Rok Ko;S. Im
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
5.5
作者：
Zhen-Kun Tang;C. Tong;W. Geng;Dengyu Zhang;Li‐Min Liu
通讯作者：
Zhen-Kun Tang;C. Tong;W. Geng;Dengyu Zhang;Li‐Min Liu