T.Kudoh, H.Okada, T.Hashizume and H.Hasegawa: "Controlled Formation of Metal-Semiconductor Interface to 2DEG Layr by In-Situ Electrochemical Process and Its Application to In-Plane Gated Electron Waveguide Devices" Applied Surface Sceince. 117/118. 342-34
T.Kudoh, H.Okada, T.Hashizume and H.Hasegawa: "Controlled Formation of Metal-Semiconductor Interface to 2DEG Layr by In-Situ Electrochemical Process and Its Application to In-Plane Gated Electron Waveguide Devices" Applied Surface Sceince. 117/118. 342-34
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T.Kudoh、H.Okada、T.Hashizume 和 H.Hasekawa：“通过原位电化学过程控制 2DEG 层金属-半导体界面的形成及其在面内门控电子波导器件中的应用”应用表面科学。
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