過渡電流解析によるシリコン酸化膜中のプラズマ誘起欠陥準位評価
過渡電流解析によるシリコン酸化膜中のプラズマ誘起欠陥準位評価
复制标题
使用瞬态电流分析评估氧化硅薄膜中等离子体引起的缺陷水平
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
濱野誉，占部継一郎，江利口浩二
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Hamano;K. Urabe;K. Eriguchi;濱野誉，占部継一郎，江利口浩二;濱野誉，占部継一郎，江利口浩二;清水佑輔・ターン有加里ジェシカ・橋本剛明・唐沢かおり;岩田直幸;濱野誉，占部継一郎，江利口浩二
