Surface electronic properties of Mg-doped InAlN alloys
Surface electronic properties of Mg-doped InAlN alloys
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掺镁InAlN合金的表面电子性能
DOI：
10.1002/pssb.200880766
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
King P
中科院分区：
文献类型：
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作者：
King P
利用高分辨X射线光电子能谱（XPS）研究了Mg掺杂的InxAl 1-xN合金（x ≥ 0.4）表面费米能级钉扎位置的变化。对于富In合金，在x ≤ 0.7的合金成分下推断出从反转到空穴耗尽的转变。对于富铝合金，由于p型掺杂AlN和富铝合金的困难，导致绝缘样品，导致近似平带条件，表面空间电荷很少。（© 2009 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
High resolution X‐ray photoemission spectroscopy is utilised to determine the variation in surface Fermi level pinning position for Mg‐dopedc‐plane InxAl1–xN alloys withx≥ 0.4. For In‐rich alloys, a transition from inversion to hole depletion was inferred at an alloy composition ofx∼ 0.7. For Al‐rich alloys, insulating samples resulted due to the difficulty of p‐type doping AlN and Al‐rich alloys, resulting in approximately flat‐band conditions, with little surface space‐charge. (© 2009 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)