Ratioless full-complementary 12-transistor static random access memory for ultra low supply voltage operation
Ratioless full-complementary 12-transistor static random access memory for ultra low supply voltage operation
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用于超低电源电压运行的无比全互补 12 晶体管静态随机存取存储器
DOI：
10.7567/jjap.54.04dd11
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发表时间：
2015
影响因子：
1.5
通讯作者：
Kazuyuki Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Kondo;Hiromasa Yamamoto;Satoko Hoketsu;Hitoshi Imi;Hitoshi Okamura;Kazuyuki Nakamura
