S.Zaima, K.Sato, T.KItani, T.Matsuyama, H.Ikeda and Y.Yasuda: ""Surfactant effect of H atoms on the suppression of Ge segregation in Si overegrowth on Ge (n ML)/Si (100) substrates by gas source molecular beam epitaxy"" J.Crystal growth. 150. 944 (1995)
S.Zaima, K.Sato, T.KItani, T.Matsuyama, H.Ikeda and Y.Yasuda: ""Surfactant effect of H atoms on the suppression of Ge segregation in Si overegrowth on Ge (n ML)/Si (100) substrates by gas source molecular beam epitaxy"" J.Crystal growth. 150. 944 (1995)
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S.Zaima、K.Sato、T.KItani、T.Matsuyama、H.Ikeda 和 Y.Yasuda：“H 原子对抑制 Ge (n ML)/Si (100
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