Shallow–Deep InGaN Multiple-Quantum-Well System for Dual-Wavelength Emission Grown on Semipolar ($$ 11\bar{2}2 $$) Facet GaN
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DOI：
10.1007/s11664-011-1652-7
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发表时间：
2011-05
影响因子：
2.1
通讯作者：
Lianshan Wang;Zhiqin Lu;Sheng Liu;Z. Feng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lianshan Wang;Zhiqin Lu;Sheng Liu;Z. Feng
