Probing of injected carrier distribution in pentacene field effect transistor using optical second harmonic generation

Probing of injected carrier distribution in pentacene field effect transistor using optical second harmonic generation
复制标题

使用光学二次谐波发生探测并五苯场效应晶体管中的注入载流子分布

DOI:
--
复制
发表时间:
2008
期刊:
Journal of Applied Physics 104
影响因子:
--
通讯作者:
M. Iwamoto
M. Iwamoto
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
D. Yamada;E. Lim;T. Manaka;R. Tamura;M. Iwamoto

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

MOS场效应器件的特性和工作原理
DOI: --
发表时间: 1967
期刊:
影响因子: --
作者:
P. Richman
通讯作者: P. Richman
电极上的 Langmuir-Blodgett 薄膜
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: in Encyclopedia of Electrochemistry 10
影响因子: --
作者:
M. Sakomura;M. Fujihira;Langmuir-Blodgett films on electrodes
通讯作者: Langmuir-Blodgett films on electrodes
DOI: --
发表时间: 2004
期刊: Journal of Chemical Physics Vol.120, No. 16
影响因子: --
作者:
Ikeuchi;J.;Takaaki Manaka
通讯作者: Takaaki Manaka
DOI: 10.1016/j.cplett.2003.09.158
发表时间: 2003-11-21
影响因子: 2.8
作者:
L'vov, VS;Naaman, R;Vager, Z
通讯作者: Vager, Z