High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
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采用 Ge 凝聚技术制造的高性能 (110) GOI pMOSFET
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Dissanayake;S. Sugahara;M. Takenaka;S. Takagi
