Crystal plane dependence of interface states density in c- and m-plane GaN MOS capacitors
Crystal plane dependence of interface states density in c- and m-plane GaN MOS capacitors
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c 面和 m 面 GaN MOS 电容器中界面态密度的晶面依赖性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Manato Deki;Yuto Ando;Hirotaka Watanabe;Atsushi Tanaka;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda1;and Hiroshi Amano
