銅上CVDグラフェンにおけるTa誘起局所核生成のメカニズム
銅上CVDグラフェンにおけるTa誘起局所核生成のメカニズム
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铜上 CVD 石墨烯 Ta 诱导局部成核机制
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木 誠也，原 正則，吉村 雅満
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井口 正彦;Masahiko Iguchi;Aki Suwa and Masahiko Iguchi;鈴木 誠也，原 正則，吉村 雅満
