S.Zaima, K.Sato, H.Ikeda, Y.Yasuda et al.: "Surfactant effect of H atoms on the suppression of Ge segregation in Si overgrowth on Ge(mML)/Si(100) substrates by gas source MBE" J.Crystal growth. 150. 944-949 (1995)
S.Zaima, K.Sato, H.Ikeda, Y.Yasuda et al.: "Surfactant effect of H atoms on the suppression of Ge segregation in Si overgrowth on Ge(mML)/Si(100) substrates by gas source MBE" J.Crystal growth. 150. 944-949 (1995)
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S.Zaima、K.Sato、H.Ikeda、Y.Yasuda 等人：“H 原子对通过气源 MBE 抑制 Ge(mML)/Si(100) 基板上 Si 过度生长中 Ge 偏析的表面活性剂效应”
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