Resistive switching characteristics of four-terminal TiO2-x single crystal memristive devices
Resistive switching characteristics of four-terminal TiO2-x single crystal memristive devices
复制标题
四端TiO2-x单晶忆阻器件的阻变特性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Sakai Akira
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shimizu Takuma;Takeuchi Shotaro;Tohei Tetsuya;Sakai Akira
