一种具有T型双介质埋层的新型SOI SJ LDMOS

一种具有T型双介质埋层的新型SOI SJ LDMOS
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DOI:
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发表时间:
2013
期刊:
CHIN. PHYS. LETT.
影响因子:
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通讯作者:
李肇基
李肇基
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
吴丽娟;章文通;张波;李肇基

文献摘要

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