In vacuo atomic layer deposition and electron tunneling characterization of ultrathin dielectric films for metal/insulator/metal tunnel junctions
In vacuo atomic layer deposition and electron tunneling characterization of ultrathin dielectric films for metal/insulator/metal tunnel junctions
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金属/绝缘体/金属隧道结超薄介电薄膜的真空原子层沉积和电子隧道表征
DOI：
10.1116/1.5141078
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发表时间：
2020
影响因子：
2.9
通讯作者：
Goul, Ryan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wu, Judy Z.;Acharya, Jagaran;Goul, Ryan
