Self-diffusion in silicon carbide.
Self-diffusion in silicon carbide.
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碳化硅中的自扩散。
DOI：
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发表时间：
1966
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Coble
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Ghoshtagore;R. Coble
在可用晶体中，碳的自扩散率被发现是外在的(实验范围是1853到2088ifmmod)，在$p$型材料中碳的自扩散率比在$n$型材料中高。从1927年到2017年，硅的自扩散系数大约是碳的十倍。
In available crystals, the self-diffusivity of carbon has been found to be extrinsic (experimental range 1853 to 2088ifmmode^circelse extdegreefi{}C), the carbon self-diffusivity being higher in $p$-type than in $n$-type material. The self-diffusion coefficient for Si is approximately ten times higher than that for carbon between 1927 and 2017ifmmode^circelse extdegreefi{}C.