Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Layer
Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Layer
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使用 Ti 中间层在重掺杂 Si (001) 衬底上形成硅化钯
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Suryana;O.Nakatsuka;S.Zaima
