Experimental Study for High Effective Mobility with directly deposited HfO_2/La_2O_3 MOSFET
Experimental Study for High Effective Mobility with directly deposited HfO_2/La_2O_3 MOSFET
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直接沉积HfO_2/La_2O_3 MOSFET高效迁移率实验研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takamasa Kawanago
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ishikawa;M;Ogawa;O.N.;Ohkouchi;N.;Kase;T.;石川牧子・加瀬友喜;高橋昭紀・石川牧子・本田恵理・平野弘道;Takamasa Kawanago
