Steady-state level-anticrossing spectra for bound-exciton triplets associated with complex defects in semiconductors.
Steady-state level-anticrossing spectra for bound-exciton triplets associated with complex defects in semiconductors.
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与半导体中复杂缺陷相关的束缚激子三重态的稳态能级反交叉光谱。
DOI:
10.1103/physrevb.41.5746
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发表时间:
1990
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Bergman
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Chen;Godlewski;Monemar;Bergman
On montre que l'observation des effets de ce phenomene est due aux interactions microscopiques non disparaissantes se couplant aux etats approchants. De plus, il existe une inequivalence entre ces etats a cause d'un mecanisme d'excitation de l'etat stationnaire. Les interactions hyperfines constituent la principale interaction statique responsable de ces effets