The use of molecular beam epitaxy for the synthesis of high purity III–V nanowires
The use of molecular beam epitaxy for the synthesis of high purity III–V nanowires
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使用分子束外延合成高纯度 III-V 纳米线
DOI：
10.1088/0953-8984/20/45/454225
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Fontcuberta i Morral
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Spirkoska;C. Colombo;M. Heiss;G. Abstreiter;A. Fontcuberta i Morral
综述了分子束外延(MBE)无催化剂制备III-V纳米线的方法和性能。两种主要的技术是选区外延(SAE)和镓辅助合成。拉曼光谱和光致发光光谱表明，所生长的纳米线具有优良的结构和超高纯度的特性。
The synthesis methods and properties of catalyst-free III–V nanowires with molecular beam epitaxy (MBE) are reviewed. The two main techniques are selective-area epitaxy (SAE) and gallium-assisted synthesis. The excellent structure and ultra-high purity characteristics of the grown nanowires are presented by Raman and photoluminescence spectroscopy.