K.Yoshino: "Wide-gap a-Si:H fabricated by controling voids" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,. 420. 335-340 (1996)
K.Yoshino: "Wide-gap a-Si:H fabricated by controling voids" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,. 420. 335-340 (1996)
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K.Yoshino：“通过控制空隙制造宽间隙 a-Si:H”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,。
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