Electrical and Structural Properties of TaN Gate Electrodes Fabricated by Wet Etching Using NH_40H/H_2O_2 Solution and Hf Metal Hard Mask
Electrical and Structural Properties of TaN Gate Electrodes Fabricated by Wet Etching Using NH_40H/H_2O_2 Solution and Hf Metal Hard Mask
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NH_40H/H_2O_2溶液和Hf金属硬掩模湿法刻蚀TaN栅电极的电学和结构性能
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Sugimoto;K.Yamamoto;H.Nakashima
