松村 英樹、田代 吉成、宮里 系一郎、古川 静二郎: "触媒CVD法による低温形成Poly-Siの高移動度化(2)ー膜構造と移動度ー" 応用物理学会、春季全国大会予稿集. 31a-ZF-2. (1993)
松村 英樹、田代 吉成、宮里 系一郎、古川 静二郎: "触媒CVD法による低温形成Poly-Siの高移動度化(2)ー膜構造と移動度ー" 応用物理学会、春季全国大会予稿集. 31a-ZF-2. (1993)
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Hideki Matsumura、Yoshinari Tashiro、Keiichiro Miyazato、Seijiro Furukawa：“通过催化 CVD 方法提高低温形成的多晶硅的迁移率 (2) - 薄膜结构和迁移率 -”日本应用物理学会，春季全国会议论文集 31a。 -ZF-2。（1993）
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