Study on optimal growth conditions of a-plane GaN grown on r-plane sapphire by metal-organic chemical vapor deposition
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.12.046
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发表时间：
2007-03
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Ko;Te-Chung Wang;R. Gao;Hou-Gaung Chen;G. S. Huang;T. Lu;H. Kuo;Shing-chung Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ko;Te-Chung Wang;R. Gao;Hou-Gaung Chen;G. S. Huang;T. Lu;H. Kuo;Shing-chung Wang
