Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate
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DOI：
10.1016/j.mseb.2012.03.053
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发表时间：
2012-06
影响因子：
3.6
通讯作者：
S. Salman;H. Folliot;J. L. Pouliquen;N. Chevalier;T. Rohel;C. Paranthoen;N. Bertru;C. Labbé;A. Létoublon;A. Corre
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Salman;H. Folliot;J. L. Pouliquen;N. Chevalier;T. Rohel;C. Paranthoen;N. Bertru;C. Labbé;A. Létoublon;A. Corre
