Degradation of the charge collection efficiency of an n-type Fz silicon diode subjected to MeV proton irradiation
Degradation of the charge collection efficiency of an n-type Fz silicon diode subjected to MeV proton irradiation
复制标题
MeV 质子辐照下 n 型 Fz 硅二极管电荷收集效率的降低
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. Vittone
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Barbero;J. Forneris;V. Grilj;M. Jakšić;J. Räisänen;A. Simon;N. Skukan;E. Vittone
