Electromigration failure of contacts and vias in sub-micron integrated circuit metallizations
Electromigration failure of contacts and vias in sub-micron integrated circuit metallizations
复制标题
亚微米集成电路金属化中触点和通孔的电迁移失效
DOI：
10.1016/0026-2714(96)00102-3
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发表时间：
1996
影响因子：
1.6
通讯作者：
A. Oates
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Oates
影响因子：
3.7
作者：
Whissell PD;Tohyama S;Martin LJ
通讯作者：
Martin LJ