Photoluminescence properties of InAsN QDs grown by MOVPE
Photoluminescence properties of InAsN QDs grown by MOVPE
复制标题
MOVPE 生长的 InAsN 量子点的光致发光特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Onabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Kuboya;Q. T. Thieu;S. Takahashi;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
