Relaxed Si0.7Ge0.3 buffer layers grown on patterned silicon substrates for SiGe n-channel HMOSFETs
Relaxed Si0.7Ge0.3 buffer layers grown on patterned silicon substrates for SiGe n-channel HMOSFETs
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在用于 SiGe n 沟道 HMOSFET 的图案化硅衬底上生长的松弛 Si0.7Ge0.3 缓冲层
DOI：
10.1016/s0040-6090(00)00801-4
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
M. Klose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Wöhl;V. Dudek;M. Graf;H. Kibbel;Howard J. Herzog;M. Klose
