Si-Ge solid solution single crystal growth by electron beam floating zone technique
Si-Ge solid solution single crystal growth by electron beam floating zone technique
复制标题
电子束浮区技术生长硅锗固溶体单晶
DOI：
10.1016/0022-0248(81)90331-6
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发表时间：
1981
影响因子：
1.8
通讯作者：
R. S. Umerov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Saidov;A. Yusupov;R. S. Umerov
