Phosphinecarboxamide based InZnP QDs - an air tolerant route to luminescent III-V semiconductors.
Phosphinecarboxamide based InZnP QDs - an air tolerant route to luminescent III-V semiconductors.
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基于膦甲酰胺的 InZnP 量子点 - 一种耐空气的 III-V 族发光半导体途径。
DOI：
10.1039/d3nh00162h
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发表时间：
2023
影响因子：
9.7
通讯作者：
Wang Y
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wang Y
我们描述了一种新的合成方法，用于制备高品质的，发射可调的InP基量子点（QD）使用固体，空气和水分耐受的初级膦作为V族前体。与目前在磷化物量子点合成中使用的挥发性、危险性和空气敏感性的现有技术前体（例如P（Si（CH3）3）3）相比，这提供了明显更简单的合成途径。
We describe a new synthetic methodology for the preparation of high quality, emission tuneable InP-based quantum dots (QDs) using a solid, air- and moisture-tolerant primary phosphine as a group-V precursor. This presents a significantly simpler synthetic pathway compared to the state-of-the-art precursors currently employed in phosphide quantum dot synthesis which are volatile, dangerous and air-sensitive, e.g. P(Si(CH3)3)3.