Low-Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and In-Situ Doping for Junction Formation in Group-IV Semiconductor Devices
Low-Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and In-Situ Doping for Junction Formation in Group-IV Semiconductor Devices
复制标题
用于 IV 族半导体器件结形成的低能等离子体增强化学气相沉积和原位掺杂
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Sakuraba and S. Sato
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Sakuraba and S. Sato
