Low resistivity aluminum nitride: carbon (AlN : C) films grown by metal organic chemical vapor deposition
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低电阻率氮化铝：通过金属有机化学气相沉积生长的碳（AlN：C）薄膜
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Spencer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Wongchotigul;N. Chen;D. Zhang;Xiao Tang;M. Spencer
