Enhanced Terahertz Emission from InAs Quantum Dots on GaAs

Enhanced Terahertz Emission from InAs Quantum Dots on GaAs
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GaAs 上 InAs 量子点的增强太赫兹发射

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Joint International Conference on Infrared Millimeter Waves and International Conference on Teraherz Electronics
影响因子：
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通讯作者：
H. Han
H. Han
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
H. Park;J. Kim;K. Moon;H. Han

文献摘要

被引文献

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光泵太赫兹辐射在许多半导体材料中被观测到，这一过程是时域太赫兹光谱和太赫兹成像的一个重要的脉冲太赫兹辐射源。我们表明，GaAs上的InAs量子点可以用来显着增强太赫兹辐射相比，裸露的GaAs表面。
Optically pumped THz emission has been observed in a wide range of semiconductors, and this process is an important practical source of pulsed THz radiation for time-domain THz spectroscopy and THz imaging. We show that InAs quantum dots on GaAs can be used to significantly enhance THz emission compared with a bare GaAs surface.