Ion beam analysis for hall scattering factor measurements in antimony implanted bulk and strained silicon
Ion beam analysis for hall scattering factor measurements in antimony implanted bulk and strained silicon
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用于锑注入体硅和应变硅中霍尔散射因子测量的离子束分析
DOI：
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发表时间：
2014
影响因子：
1
通讯作者：
Alzanki T.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Alzanki T.
