Mg ドーピングによる高 In 組成 InGaN の表面-バルク電子状態変化
Mg ドーピングによる高 In 組成 InGaN の表面-バルク電子状態変化
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Mg 掺杂导致高 In 成分 InGaN 的表面体电子态变化
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
名西やすし
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井村将隆;津田俊輔;長田貴弘;山下良之;吉川英樹;小林啓介;小出康夫;山口智広;金子昌充;上松尚;荒木努;名西やすし
