Fabrication of Low Threating Dislocation Density AlGaN Buffer on SiC using Highly Si-doped AlGaN Superlattices
Fabrication of Low Threating Dislocation Density AlGaN Buffer on SiC using Highly Si-doped AlGaN Superlattices
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使用高硅掺杂 AlGaN 超晶格在 SiC 上制造低威胁位错密度 AlGaN 缓冲器
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Hirayama;H.Hirayama
