The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study
The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study
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4H-SiC(0001)/SiO2 界面上的 PbC（碳悬挂键）中心：第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Matsushita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kobayashi;T. Umeda;Y. Matsushita
