Conductance spikes in single-walled carbon nanotube field-effect transistor
Conductance spikes in single-walled carbon nanotube field-effect transistor
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单壁碳纳米管场效应晶体管中的电导尖峰
DOI：
10.1063/1.125059
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发表时间：
1999
影响因子：
4
通讯作者：
P. Bernier
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Liu;M. Burghard;S. Roth;P. Bernier
纳米场效应晶体管（FET）是由单壁碳纳米管（CNTs）制成的。在0.5K时，晶体管显示出明显的场效应。最有趣的是，可再现的尖峰观察到在沟道电导作为栅极电压的函数。这些电导尖峰归因于碳纳米管中电子态密度的货车霍韦奇异性。基于对这些电导尖峰的观察，提出了CNT FET中电荷传输的机制。
Nanoscale field-effect transistor (FET) has been fabricated from single-walled carbon nanotubes (CNTs). At ∼5 K, the transistor shows pronounced field effect. Most interestingly, reproducible spikes are observed in the channel conductance as a function of the gate voltage. These conductance spikes are attributed to van Hove singularities in the electronic density of states in the carbon nanotubes. Based on the observation of these conductance spikes, a mechanism is proposed for the charge transport in CNT FETs.
影响因子：
64.8
作者：
Odom, TW;Huang, JL;Lieber, CM
通讯作者：
Lieber, CM
影响因子：
8.6
作者：
Bezryadin, A;Verschueren, ARM;Dekker, C
通讯作者：
Dekker, C