Development of GaN inversion epitaxial growth by using Mg doping GaN MOVPE
Development of GaN inversion epitaxial growth by using Mg doping GaN MOVPE
复制标题
利用Mg掺杂GaN MOVPE开发GaN反转外延生长
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takayuki Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Nobori;et al;Takayuki Nakano
