Improving dielectric properties of epitaxial Gd2O3 thin films on silicon by nitrogen doping
Improving dielectric properties of epitaxial Gd2O3 thin films on silicon by nitrogen doping
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通过氮掺杂改善硅上外延 Gd2O3 薄膜的介电性能
DOI：
10.1063/1.4775688
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发表时间：
2013
影响因子：
4
通讯作者：
H. J. Osten
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.R. Chaudhuri;A. Fissel;V. R. Archakam;H. J. Osten
