Multinomial Memristor Model for Simulations and Analysis
Multinomial Memristor Model for Simulations and Analysis
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用于仿真和分析的多项忆阻器模型
DOI：
10.1109/ised.2013.18
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Pradhan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liu Gang;J. Mathew;D. Pradhan
在本文中，我们提出了一种具有多项式窗函数的新型忆阻器模型。该模型描述了制造的器件可以表现出的行为范围，特别是具有所需非线性忆阻器特性的状态转换行为。该多项式窗函数可以通过拟合实际忆阻器器件的测量数据来获得。由于窗函数直接拟合测量数据，因此多项忆阻器模型表征了真实的忆阻器。
In this paper, we propose a novel memristor model with multinomial window function. The model describes the range of behaviours that a fabricated device can exhibit especially with respect to state transition behaviour with desired non-linear memristor characteristics. This multinomial window function can be obtained by fitting the measured data of a practical memristor device. Because the window function fits the measured data directly, the multinomial memristor model characterizes a real memristor.