Wide-range, low-operating-voltage, bimorph STM: Application as potentiometer

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DOI：
10.1147/rd.305.0443
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发表时间：
1986-09
期刊：
IBM J. Res. Dev.
影响因子：
--
通讯作者：
P. Muralt;D. Pohl;W. Denk
P. Muralt;D. Pohl;W. Denk
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
P. Muralt;D. Pohl;W. Denk

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注意事项：Muralt，P Free Univ柏林，原子与固态物理研究所，Arnimallee 14，D-1000柏林33，美联储代表格尔IBM公司，苏黎世研究实验室，Ch-8803 Ruschlikon，瑞士康奈尔大学，物理系，伊萨卡，纽约14853 E4267引用次数：64引用计数：10参考文献LC-ARTICLE-1986-009记录创建于2006年8月21日，修改于2017年5月10日
Note: Muralt, P Free Univ Berlin,Inst Atom & Solid State Phys,Arnimallee 14,D-1000 Berlin 33,Fed Rep Ger Ibm Corp,Zurich Res Lab,Ch-8803 Ruschlikon,Switzerland Cornell Univ,Dept Phys,Ithaca,Ny 14853E4267Times Cited:64Cited References Count:10 Reference LC-ARTICLE-1986-009 Record created on 2006-08-21, modified on 2017-05-10